英特爾執行長 Lip-Bu Tan 表示，公司正重新評估記憶體技術，將其視為未來處理器架構的核心部分，並利用新的堆疊技術。英特爾正在探索將記憶體直接堆疊在未來 CPU 上方，而非使用外部元件。

此舉得到了前 SK 海力士執行長李碩熙（Seok-Hee Lee）的回歸支持，他將負責領導先進封裝與後端技術。李碩熙帶來了領導 SK 海力士收購英特爾 NAND 業務並成立 Solidigm 的經驗。

這標誌著戰略轉變，將 DRAM 從大宗商品轉變為與 CPU 直接整合，有望解決全球 AI 硬體短缺問題。這影響了供應鏈，挑戰了 SK 海力士和三星等專業記憶體製造商的主導地位。

事件背景

英特爾在 2000 年代初退出 DRAM 市場，專注於邏輯晶片，後來出售了其 NAND 業務。產業趨勢正朝向 3D 堆疊和先進封裝發展，以提升效能和頻寬，這對 AI 負載至關重要。SK 海力士目前是 AI 加速器所用高頻寬記憶體（HBM）的領先者。

社群觀察

社群情緒偏向懷疑，用戶認為這可能是「遲來的補救」，並預測該專案可能在遇到困難時被放棄。部分評論者開玩笑說產品可能要等到 2029-2030 年才會推出。