在 Hot Chips 2026 大會上，美光指出 HBM 在相同記憶體容量下所需的晶圓面積約為 DDR5 的三倍，且此比例在新世代中預計不會改善。這種結構上的低效率解釋了為何轉向 HBM 會使全球 DRAM 供應量實質減少三分之二。 這項發現突顯了 AI 硬體經濟中的關鍵瓶頸，因為資料中心 GPU 中每安裝一 GB 的 HBM，就會取代三 GB 的一般 DRAM 容量。因此，即使有新的晶圓產能投入運作，由於高頻寬記憶體生產佔據主導地位，一般用途記憶體的供應限制很可能會持續存在。 美光指出，HBM4 晶粒擁有 256 個記憶體銀行，而 DDR5 僅有 32 個，額外的空間被資料路徑、電源供應以及用於堆疊的矽穿孔（TSV）所佔用。社群討論在計算 HBM 生產的較低良率後，將有效的晶圓使用比例修正為 5:1。
事件背景
高頻寬記憶體（HBM）採用三維堆疊架構，透過矽穿孔（TSV）將多個 DRAM 晶粒垂直互連以實現高頻寬。與依賴表面連接的傳統 DDR 模組不同，HBM 的垂直設計允許更密集的整合，但由於需要為互連和穿孔保留空間，因此每比特的晶圓面積需求較高。這種架構差異使得 HBM 在原始硅膠使用量上比標準 DDR5 更具成本效益。
社群觀察
社群成員認同對供應的影響，但對具體比例存在爭議，一名用戶因良率損失將 3:1 的數字修正為 5:1。其他人則質疑記憶體銀行數量是否為主要因素，認為矽穿孔和互連所佔用的空間更為關鍵，另有人指出硅膠成本本身僅佔記憶體生產成本的一小部分。
